casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FCPF13N60NT
codice articolo del costruttore | FCPF13N60NT |
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Numero di parte futuro | FT-FCPF13N60NT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperMOS™ |
FCPF13N60NT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 258 mOhm @ 6.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1765pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 33.8W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCPF13N60NT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FCPF13N60NT-FT |
GP1M011A050H
Global Power Technologies Group
GP1M011A050HS
Global Power Technologies Group
GP1M012A060H
Global Power Technologies Group
GP1M013A050H
Global Power Technologies Group
GP1M015A050H
Global Power Technologies Group
GP1M016A025HG
Global Power Technologies Group
GP1M016A060H
Global Power Technologies Group
GP1M018A020HG
Global Power Technologies Group
GP2M002A060HG
Global Power Technologies Group
GP2M002A065HG
Global Power Technologies Group
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel