casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FCH060N80-F155
codice articolo del costruttore | FCH060N80-F155 |
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Numero di parte futuro | FT-FCH060N80-F155 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperFET® II |
FCH060N80-F155 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 56A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 29A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 5.8mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 350nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14685pF @ 100V |
Caratteristica FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | 500W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 Long Leads |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCH060N80-F155 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FCH060N80-F155-FT |
FDA15N65
ON Semiconductor
FDA2712
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FDA62N28
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FDA79N15
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