casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQA10N80
codice articolo del costruttore | FQA10N80 |
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Numero di parte futuro | FT-FQA10N80 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQA10N80 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05 Ohm @ 4.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 240W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P |
Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQA10N80 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQA10N80-FT |
FK4B01100L1
Panasonic Electronic Components
FJ4B01100L1
Panasonic Electronic Components
FJ4B01120L1
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XC4028XL-09HQ208C
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XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
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