casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FCD5N60-F085
codice articolo del costruttore | FCD5N60-F085 |
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Numero di parte futuro | FT-FCD5N60-F085 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, SuperFET™ |
FCD5N60-F085 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1 Ohm @ 4.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 54W (Tj) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-PAK (TO-252) |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCD5N60-F085 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FCD5N60-F085-FT |
FQD18N20V2TM
ON Semiconductor
FQD1N60CTM
ON Semiconductor
FQD20N06TM
ON Semiconductor
FQD2N80TM
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FQD2P40TM
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FQD5P10TM
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FQD6N25TM
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FQD6N40CTM
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FQD9N25TM
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HUF76407D3ST
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LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
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EP20K200EBC356-1
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