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ON Semiconductor FQD1N60CTM

Name: FQD1N60CTM
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQD1N60CTM
Price: 0.242384 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (617 reviews)

Numero parte MFG: FQD1N60CTM

quantità disponibile: 34320 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.242384

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: QFET® MOSFET N-CH 600V 1A DPAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FQD1N60CTM.pdf

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FQD1N60CTM specificazioni

codice articolo del costruttore	FQD1N60CTM
Numero di parte futuro	FT-FQD1N60CTM
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	QFET®
FQD1N60CTM Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.2nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	170pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta), 28W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D-Pak
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQD1N60CTM Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FQD1N60CTM-FT

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