casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDA16N50
codice articolo del costruttore | FDA16N50 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FDA16N50 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UniFET™ |
FDA16N50 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 8.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1945pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 205W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PN |
Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDA16N50 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDA16N50-FT |
FDMS3016DC
ON Semiconductor
FDMS7694_SN00176
ON Semiconductor
FDMS8570S
ON Semiconductor
FDMS8570SDC
ON Semiconductor
FDMS8660AS
ON Semiconductor
FDMS8660S
ON Semiconductor
FDMS8662
ON Semiconductor
FDMS8670
ON Semiconductor
FDMS8670AS
ON Semiconductor
FDMS8672AS
ON Semiconductor
M2GL025-1FG484I
Microsemi Corporation
APA600-BG456M
Microsemi Corporation
APA450-FG256
Microsemi Corporation
A3P400-1FG256
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4L
Intel
10CL080YF780C6G
Intel