casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / FBO40-12N
codice articolo del costruttore | FBO40-12N |
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Numero di parte futuro | FT-FBO40-12N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FBO40-12N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.2kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 40A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.17V @ 20A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40µA @ 1200V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | i4-Pac™-5 |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS i4-PAC™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FBO40-12N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FBO40-12N-FT |
VBO52-12NO7
IXYS
VBO52-16NO7
IXYS
VBO52-18NO7
IXYS
VBO72-08NO7
IXYS
VBO72-12NO7
IXYS
VBO72-16NO7
IXYS
VBO72-18NO7
IXYS
VUO62-08NO7
IXYS
VUO62-12NO7
IXYS
VUO62-14NO7
IXYS
LCMXO2-2000HC-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A35T-3FTG256E
Xilinx Inc.
XC7A12T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FGG484K
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K10FC256-2N
Intel
5SGSMD5H3F35C2L
Intel
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FTQ100
Microsemi Corporation
EP1S40F1508C7N
Intel