casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / F1T4G R0G
codice articolo del costruttore | F1T4G R0G |
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Numero di parte futuro | FT-F1T4G R0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
F1T4G R0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | T-18, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | TS-1 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
F1T4G R0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | F1T4G R0G-FT |
EM01
Sanken
EM01A
Sanken
EM01AV
Sanken
EM01AV0
Sanken
EM01AW
Sanken
EM01V
Sanken
EM01V0
Sanken
EM01W
Sanken
EM01Z
Sanken
EM01ZV
Sanken
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel