codice articolo del costruttore | EM01V |
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Numero di parte futuro | FT-EM01V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EM01V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 970mV @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EM01V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EM01V-FT |
D690S20TXPSA1
Infineon Technologies
D690S26TXPSA1
Infineon Technologies
D740N44TXPSA1
Infineon Technologies
D740N48TXPSA1
Infineon Technologies
D770N16TXPSA1
Infineon Technologies
D770N18TXPSA1
Infineon Technologies
D820N22TXPSA1
Infineon Technologies
D820N24TXPSA1
Infineon Technologies
D8320N04TVFXPSA1
Infineon Technologies
D8320N06TVFXPSA1
Infineon Technologies
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel