casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / F1892D1000
codice articolo del costruttore | F1892D1000 |
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Numero di parte futuro | FT-F1892D1000 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
F1892D1000 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 90A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 270A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
F1892D1000 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | F1892D1000-FT |
DS1-12D
IXYS
DS9-08F
IXYS
DS9-12F
IXYS
DSA1I100SA
IXYS
DSA2I100SB
IXYS
DSB0.2A30
Microsemi Corporation
DSB1I40SA
IXYS
DSB1I60SA
IXYS
DSB2I40SB
IXYS
DSB2I60SB
IXYS
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel