casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / DSB2I60SB
codice articolo del costruttore | DSB2I60SB |
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Numero di parte futuro | FT-DSB2I60SB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DSB2I60SB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMB (DO-214AA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSB2I60SB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DSB2I60SB-FT |
D1461S45TXPSA2
Infineon Technologies
D1481N60TXPSA1
Infineon Technologies
D1481N62TXPSA1
Infineon Technologies
D1481N65TXPSA1
Infineon Technologies
D170S25BS1XPSA1
Infineon Technologies
D1800N36TVFXPSA1
Infineon Technologies
D1800N42TVFXPSA1
Infineon Technologies
D1821SH45TS05XOSA1
Infineon Technologies
D2015L53
Littelfuse Inc.
D2020L55
Littelfuse Inc.
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel