casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / DSB2I60SB
codice articolo del costruttore | DSB2I60SB |
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Numero di parte futuro | FT-DSB2I60SB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DSB2I60SB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMB (DO-214AA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSB2I60SB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DSB2I60SB-FT |
D1461S45TXPSA2
Infineon Technologies
D1481N60TXPSA1
Infineon Technologies
D1481N62TXPSA1
Infineon Technologies
D1481N65TXPSA1
Infineon Technologies
D170S25BS1XPSA1
Infineon Technologies
D1800N36TVFXPSA1
Infineon Technologies
D1800N42TVFXPSA1
Infineon Technologies
D1821SH45TS05XOSA1
Infineon Technologies
D2015L53
Littelfuse Inc.
D2020L55
Littelfuse Inc.
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel