casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / F1857CCD1000
codice articolo del costruttore | F1857CCD1000 |
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Numero di parte futuro | FT-F1857CCD1000 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
F1857CCD1000 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 55A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 165A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
F1857CCD1000 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | F1857CCD1000-FT |
DD242S08KHPSA1
Infineon Technologies
DD242S10KHPSA1
Infineon Technologies
DD242S10KKHPSA1
Infineon Technologies
DD250S65K3NOSA1
Infineon Technologies
DD350N08KHPSA1
Infineon Technologies
DD400S33K2CNOSA1
Infineon Technologies
DD400S33KL2CNOSA1
Infineon Technologies
DD400S45KL3B5NOSA1
Infineon Technologies
DD46S12KHPSA1
Infineon Technologies
DD500S33HE3BPSA1
Infineon Technologies
LCMXO1200C-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75T-2FG484I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG256
Microsemi Corporation
A54SX72A-1CQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484C4
Intel
10M40DCF256C7G
Intel
5SGXEB5R2F43I2L
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
EP4SGX230DF29C3NES
Intel