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Infineon Technologies DD250S65K3NOSA1

Name: DD250S65K3NOSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: DD250S65K3NOSA1
Price: 1379.768 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (383 reviews)

Numero parte MFG: DD250S65K3NOSA1

quantità disponibile: 58740 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1379.768

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: - IGBT MODULE VCES 6500V 250A

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Diodi - Raddrizzatori - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: DD250S65K3NOSA1.pdf

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DD250S65K3NOSA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	DD250S65K3NOSA1
Numero di parte futuro	FT-DD250S65K3NOSA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
DD250S65K3NOSA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Configurazione diodi	2 Independent
Diodo	Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	6500V
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo)	-
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	3.5V @ 250A
Velocità	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	-
Corrente - Perdita inversa @ Vr	370A @ 3600V
Temperatura operativa - Giunzione	-50°C ~ 125°C
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	Module
Pacchetto dispositivo fornitore	A-IHV130-6
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DD250S65K3NOSA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	DD250S65K3NOSA1-FT

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