casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / F1857CAD1000
codice articolo del costruttore | F1857CAD1000 |
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Numero di parte futuro | FT-F1857CAD1000 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
F1857CAD1000 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 55A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 165A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
F1857CAD1000 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | F1857CAD1000-FT |
DD241S12KAHPSA1
Infineon Technologies
DD241S12KHPSA1
Infineon Technologies
DD241S12KKHPSA1
Infineon Technologies
DD241S14KAHPSA1
Infineon Technologies
DD241S14KHPSA1
Infineon Technologies
DD241S14KKHPSA1
Infineon Technologies
DD242S08KHPSA1
Infineon Technologies
DD242S10KHPSA1
Infineon Technologies
DD242S10KKHPSA1
Infineon Technologies
DD250S65K3NOSA1
Infineon Technologies
XC2V80-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C8N
Intel
5SGSMD4K3F40I3L
Intel
EP2AGX65DF25C4G
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
EP2AGX95EF35C6N
Intel