casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / F1842CAD1200
codice articolo del costruttore | F1842CAD1200 |
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Numero di parte futuro | FT-F1842CAD1200 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
F1842CAD1200 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 40A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 120A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
F1842CAD1200 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | F1842CAD1200-FT |
DD1000S33HE3BPSA1
Infineon Technologies
DD104N08KAHPSA1
Infineon Technologies
DD104N08KHPSA1
Infineon Technologies
DD1200S12H4
Infineon Technologies
DD1200S33K2CNOSA1
Infineon Technologies
DD1200S33KL2CB5NOSA1
Infineon Technologies
DD1200S45KL3B5NOSA1
Infineon Technologies
DD171N08KHPSA1
Infineon Technologies
DD171N14KHPSA1
Infineon Technologies
DD200S33K2CNOSA1
Infineon Technologies
LCMXO2-1200ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005E-4PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325I
Microsemi Corporation
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I7
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel