casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / DD1200S45KL3B5NOSA1
codice articolo del costruttore | DD1200S45KL3B5NOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-DD1200S45KL3B5NOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DD1200S45KL3B5NOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 4500V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.1V @ 1200A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1500A @ 2800V |
Temperatura operativa - Giunzione | -50°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | A-IHV130-4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DD1200S45KL3B5NOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DD1200S45KL3B5NOSA1-FT |
CC240610
Powerex Inc.
CC240650
Powerex Inc.
CC2406500N
Powerex Inc.
CC241210
Powerex Inc.
CC241250
Powerex Inc.
CD240602
Powerex Inc.
CD240650
Powerex Inc.
CD2406500N
Powerex Inc.
CD241202
Powerex Inc.
CD241250
Powerex Inc.
LFECP6E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484I4N
Intel
5CEBA2F17C7N
Intel
XC7K70T-3FBG484E
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35I5
Intel
EP4CE115F29I7N
Intel
EP3SL70F780C4
Intel
10AX032E1F27I1HG
Intel
EP20K200EQI208-3
Intel