casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / DD1200S45KL3B5NOSA1
codice articolo del costruttore | DD1200S45KL3B5NOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-DD1200S45KL3B5NOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DD1200S45KL3B5NOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 4500V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.1V @ 1200A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1500A @ 2800V |
Temperatura operativa - Giunzione | -50°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | A-IHV130-4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DD1200S45KL3B5NOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DD1200S45KL3B5NOSA1-FT |
CC240610
Powerex Inc.
CC240650
Powerex Inc.
CC2406500N
Powerex Inc.
CC241210
Powerex Inc.
CC241250
Powerex Inc.
CD240602
Powerex Inc.
CD240650
Powerex Inc.
CD2406500N
Powerex Inc.
CD241202
Powerex Inc.
CD241250
Powerex Inc.
XC2V80-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C8N
Intel
5SGSMD4K3F40I3L
Intel
EP2AGX65DF25C4G
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
EP2AGX95EF35C6N
Intel