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codice articolo del costruttore | ETQ-P3MR68YFN |
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Numero di parte futuro | FT-ETQ-P3MR68YFN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PCC-M0630M |
ETQ-P3MR68YFN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | Metal Composite |
Induttanza | 680nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 12A |
Corrente - Saturazione | 24A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 6.9 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 2-SMD, J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.256" L x 0.236" W (6.50mm x 6.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.118" (3.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ETQ-P3MR68YFN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ETQ-P3MR68YFN-FT |
MGV05121R2M-10
Laird-Signal Integrity Products
MGV05121R5M-10
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MGV05122R2M-10
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MGV0512R68M-10
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P0438NLT
Pulse Electronics Power
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel