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codice articolo del costruttore | MGV0512R10N-10 |
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Numero di parte futuro | FT-MGV0512R10N-10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MGV |
MGV0512R10N-10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Molded |
Materiale: core | - |
Induttanza | 100nH |
Tolleranza | ±30% |
Valutazione attuale | 14A |
Corrente - Saturazione | 14.5A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 5.2 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.224" L x 0.205" W (5.70mm x 5.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.047" (1.20mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MGV0512R10N-10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MGV0512R10N-10-FT |
AIRD-02-1R0K
Abracon LLC
AIRD-02-1R2K
Abracon LLC
AIRD-02-1R5K
Abracon LLC
AIRD-02-2R7K
Abracon LLC
AIRD-02-3R9K
Abracon LLC
AIRD-02-5R6K
Abracon LLC
AIRD-02-6R8K
Abracon LLC
ASPI-M3015-1R0M-T
Abracon LLC
ASPI-M3015-1R5M-T
Abracon LLC
ASPI-M3015-2R2M-T
Abracon LLC
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel