casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / ETQ-P3M6R8KVP
codice articolo del costruttore | ETQ-P3M6R8KVP |
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Numero di parte futuro | FT-ETQ-P3M6R8KVP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PCC-M0530M |
ETQ-P3M6R8KVP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | Metal Composite |
Induttanza | 6.8µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 3.5A |
Corrente - Saturazione | 6.1A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 72.27 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 2-SMD, J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.217" L x 0.197" W (5.50mm x 5.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.118" (3.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ETQ-P3M6R8KVP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ETQ-P3M6R8KVP-FT |
36502C10NJTDG
TE Connectivity Passive Product
36502C15NJTDG
TE Connectivity Passive Product
36502C1R0GTDG
TE Connectivity Passive Product
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TE Connectivity Passive Product
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TE Connectivity Passive Product
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TE Connectivity Passive Product
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TE Connectivity Passive Product
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TE Connectivity Passive Product
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TE Connectivity Passive Product
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TE Connectivity Passive Product
XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
Intel
5AGXBA5D4F35I5N
Intel
EP2S180F1508C4N
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EPF81188AQC240-4
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