casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / ETQ-P3M4R7KVN
codice articolo del costruttore | ETQ-P3M4R7KVN |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-ETQ-P3M4R7KVN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PCC-M0630M-LP |
ETQ-P3M4R7KVN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | Metal Composite |
Induttanza | 4.7µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 5.6A |
Corrente - Saturazione | 9.8A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 31.9 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 2-SMD, J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.252" L x 0.236" W (6.40mm x 6.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.118" (3.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ETQ-P3M4R7KVN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ETQ-P3M4R7KVN-FT |
36502AR39JTDG
TE Connectivity Passive Product
36502AR68JTDG
TE Connectivity Passive Product
36502AR82JTDG
TE Connectivity Passive Product
36502C10NJTDG
TE Connectivity Passive Product
36502C15NJTDG
TE Connectivity Passive Product
36502C1R0GTDG
TE Connectivity Passive Product
36502C47NJTDG
TE Connectivity Passive Product
36502C82NJTDG
TE Connectivity Passive Product
36502C8R2JTDG
TE Connectivity Passive Product
36502CR15JTDG
TE Connectivity Passive Product
LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel