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codice articolo del costruttore | ETQ-P3M4R7KVN |
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Numero di parte futuro | FT-ETQ-P3M4R7KVN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PCC-M0630M-LP |
ETQ-P3M4R7KVN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | Metal Composite |
Induttanza | 4.7µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 5.6A |
Corrente - Saturazione | 9.8A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 31.9 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 2-SMD, J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.252" L x 0.236" W (6.40mm x 6.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.118" (3.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ETQ-P3M4R7KVN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ETQ-P3M4R7KVN-FT |
36502AR39JTDG
TE Connectivity Passive Product
36502AR68JTDG
TE Connectivity Passive Product
36502AR82JTDG
TE Connectivity Passive Product
36502C10NJTDG
TE Connectivity Passive Product
36502C15NJTDG
TE Connectivity Passive Product
36502C1R0GTDG
TE Connectivity Passive Product
36502C47NJTDG
TE Connectivity Passive Product
36502C82NJTDG
TE Connectivity Passive Product
36502C8R2JTDG
TE Connectivity Passive Product
36502CR15JTDG
TE Connectivity Passive Product
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation