codice articolo del costruttore | BUX10 |
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Numero di parte futuro | FT-BUX10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BUX10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 25A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 125V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 2A, 20A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1.5mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 10A, 2V |
Potenza - Max | 150W |
Frequenza - Transizione | 8MHz |
temperatura di esercizio | 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | TO-204AA, TO-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUX10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUX10-FT |
2SA1943-O(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TTC5200(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TTA1943(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5200-O(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TSC5303DCHC5G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSC5304EDCHC5G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSC5802DCHC5G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSC5804DCHC5G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSC5302DCHC5G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSC741CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256
Microsemi Corporation
5SGXEA3K1F40C2N
Intel
EP4SE360H29C3N
Intel
10AX032E3F27E2LG
Intel
10AX022E4F29I3LG
Intel
XA7A35T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP3SL110F780I4L
Intel