casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ESDLW RVG
codice articolo del costruttore | ESDLW RVG |
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Numero di parte futuro | FT-ESDLW RVG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ESDLW RVG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 800mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 800mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 21pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123W |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123W |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESDLW RVG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ESDLW RVG-FT |
BAT43X RSG
Taiwan Semiconductor Corporation
RB520S-30 RKG
Taiwan Semiconductor Corporation
1SS400 RSG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAT43X RKG
Taiwan Semiconductor Corporation
RB520S-30 RSG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSS83L45 MWG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1DFS MWG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1DFSHMWG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1GFSHMWG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1KFS MWG
Taiwan Semiconductor Corporation
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel