casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RS1GFSHMWG
codice articolo del costruttore | RS1GFSHMWG |
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Numero di parte futuro | FT-RS1GFSHMWG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
RS1GFSHMWG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 7pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-128 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-128 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS1GFSHMWG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RS1GFSHMWG-FT |
SRAS830 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAS830HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAS840 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAS840HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAS850 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAS850HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAS860 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAS860HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAS890 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAS890HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel