casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES3HM6G
codice articolo del costruttore | ES3HM6G |
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Numero di parte futuro | FT-ES3HM6G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
ES3HM6G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 500V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 500V |
Capacità @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES3HM6G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES3HM6G-FT |
MUR340SHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR340SHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR360SHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR420SHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR420SHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR440SHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR440SHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR460SHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS3AHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS3BHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel