casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RS3BHM6G
codice articolo del costruttore | RS3BHM6G |
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Numero di parte futuro | FT-RS3BHM6G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
RS3BHM6G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS3BHM6G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RS3BHM6G-FT |
MUR440S R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR440S V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR460S R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR460S V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2M R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS3B R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS3B V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS3J R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS3J V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S10GC R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel