casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S5M-E3/9AT
codice articolo del costruttore | S5M-E3/9AT |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-S5M-E3/9AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S5M-E3/9AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 5A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S5M-E3/9AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S5M-E3/9AT-FT |
S3MHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5A-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5K-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS34HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSC53LHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSC54HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL42-9C
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5GHM3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH3DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH3DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3SD3400A-4CSG484LI
Xilinx Inc.
XC3S200AN-5FTG256C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC7S6-1FTGB196Q
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQG100I
Microsemi Corporation
XC4010XL-09BG256C
Xilinx Inc.
XC2V3000-6FFG1152C
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C7N
Intel
10AX115U4F45I3SG
Intel