casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RS2B R5G
codice articolo del costruttore | RS2B R5G |
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Numero di parte futuro | FT-RS2B R5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RS2B R5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS2B R5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RS2B R5G-FT |
SS33HR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34HM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS35HM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS35HR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS36HM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS39HM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS39HR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SSL32HM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SSL33HM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SSL34HM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel