casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S1DL R3G
codice articolo del costruttore | S1DL R3G |
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Numero di parte futuro | FT-S1DL R3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1DL R3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.8µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1DL R3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1DL R3G-FT |
SS36L MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS36L RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS36L RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS36L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS36LHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS36LHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS36LHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS36LHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS36LHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS36LHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel