casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES2DHE3/5BT
codice articolo del costruttore | ES2DHE3/5BT |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-ES2DHE3/5BT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES2DHE3/5BT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 18pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES2DHE3/5BT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES2DHE3/5BT-FT |
SS210-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS210-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS22-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS22-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS22-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS22HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS22HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS23-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS23-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS23-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel