casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS22-M3/5BT
codice articolo del costruttore | SS22-M3/5BT |
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Numero di parte futuro | FT-SS22-M3/5BT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SS22-M3/5BT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 400µA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -60°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS22-M3/5BT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS22-M3/5BT-FT |
S2K/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2M/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH2DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2D/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2G/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2A/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2D/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2G/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS22S-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS22/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel