casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES2B R5G
codice articolo del costruttore | ES2B R5G |
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Numero di parte futuro | FT-ES2B R5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES2B R5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES2B R5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES2B R5G-FT |
US1MHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1G-JR2
Taiwan Semiconductor Corporation
S1G-JR3
Taiwan Semiconductor Corporation
S1G-KR2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1G-KR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GR2
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GR3
Taiwan Semiconductor Corporation
S1J-JR2
Taiwan Semiconductor Corporation
S1J-JR3
Taiwan Semiconductor Corporation
S1J-KR2G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5U-12F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4M13C8N
Intel