casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES2BHM4G
codice articolo del costruttore | ES2BHM4G |
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Numero di parte futuro | FT-ES2BHM4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
ES2BHM4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES2BHM4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES2BHM4G-FT |
MUR110SHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR110SHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR115S M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR115S R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR115SHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR115SHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR120S M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR120SHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR120SHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR160S R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S400-5FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FGG256I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C7
Intel
5SGXMB6R1F40C2LN
Intel
XC5VLX110-1FFG1760C
Xilinx Inc.
XC5VLX155T-3FFG1136C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7U19C8N
Intel