casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES1HM2G
codice articolo del costruttore | ES1HM2G |
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Numero di parte futuro | FT-ES1HM2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
ES1HM2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 500V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 500V |
Capacità @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1HM2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES1HM2G-FT |
SS36L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS36L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS36LHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS36LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSSA5U60 E3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1B R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2JA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1M R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX72A-FGG484A
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SEEBF45I3LN
Intel
5SGXEB6R2F43I2L
Intel
XC7S15-2CSGA225I
Xilinx Inc.
XA7S50-1CSGA324I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CS281I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation