casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES1CHR3G

| codice articolo del costruttore | ES1CHR3G |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-ES1CHR3G |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | Automotive, AEC-Q101 |
| ES1CHR3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
| Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 1A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 150V |
| Capacità @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| ES1CHR3G Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | ES1CHR3G-FT |

ES1LJHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LJHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSSA5U50HE3G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSSA5U60HE3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH1C M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

BYG20J R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

BYG21M M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

BYG23M M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

BYG23M R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1C R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

XC7A50T-L1CSG325I
Xilinx Inc.

APA600-CGS624M
Microsemi Corporation

M1A3PE3000-2FGG484
Microsemi Corporation

AT40K20LV-3DQC
Microchip Technology

A42MX24-PL84M
Microsemi Corporation

AGL250V2-FGG144I
Microsemi Corporation

LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation

EP1S40F780C6N
Intel

EPF10K30RC240-3
Intel

EP20K400ERC208-3
Intel