casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES1BLHMTG
codice articolo del costruttore | ES1BLHMTG |
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Numero di parte futuro | FT-ES1BLHMTG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
ES1BLHMTG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1BLHMTG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES1BLHMTG-FT |
S1ALHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BL RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BLHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BLHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DL RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DLHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DLHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GL RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GLHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel