casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES1BHR3G
codice articolo del costruttore | ES1BHR3G |
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Numero di parte futuro | FT-ES1BHR3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
ES1BHR3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1BHR3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES1BHR3G-FT |
ES1LGHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1LJ M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1LJ R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1LJHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1LJHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSSA5U50HE3G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSSA5U60HE3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ESH1C M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG20J R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG21M M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel