casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / ER581K0JT
codice articolo del costruttore | ER581K0JT |
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Numero di parte futuro | FT-ER581K0JT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ER, CGS |
ER581K0JT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 1 kOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 7W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | - |
Coefficiente di temperatura | 0/ +60ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 200°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.315" Dia x 0.874" L (8.00mm x 22.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ER581K0JT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ER581K0JT-FT |
LR1LJR56
TE Connectivity Passive Product
LR1LJR47
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LR1LJR33
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LR1LJR22
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LR1LJR15
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LR1LJR10
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ER74R05KT
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ER741K0JT
TE Connectivity Passive Product
ER7418RJT
TE Connectivity Passive Product
ER741R0JT
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XC3S200A-4FT256C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
AFS1500-FG256K
Microsemi Corporation
EP20K30EFC144-2X
Intel
5SGXMA3K3F35I4N
Intel
XC5VLX110-3FFG676C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HE-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3SG
Intel
EP1K50QC208-2N
Intel