casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / LR1LJR10
codice articolo del costruttore | LR1LJR10 |
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Numero di parte futuro | FT-LR1LJR10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LR, Neohm |
LR1LJR10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 100 mOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | - |
Coefficiente di temperatura | ±200ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.091" Dia x 0.244" L (2.30mm x 6.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LR1LJR10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LR1LJR10-FT |
LR1F24K
TE Connectivity Passive Product
LR1F249R
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LR1F243R
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LR1F24R
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LR1F221K
TE Connectivity Passive Product
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TE Connectivity Passive Product
LR1F220K
TE Connectivity Passive Product
XC6SLX45T-3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL005-FG484
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517C3N
Intel
10M16SCE144A7G
Intel
XC5VLX155T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
M1A3P400-2FGG144I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100
Microsemi Corporation
LFE2-70SE-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F35E3SG
Intel
EP2A70F1020C7
Intel