casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ER306-TP
codice articolo del costruttore | ER306-TP |
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Numero di parte futuro | FT-ER306-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ER306-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 40V |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | 35pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ER306-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ER306-TP-FT |
1N4007-TP
Micro Commercial Co
1N4004-TP
Micro Commercial Co
1N4001-TP
Micro Commercial Co
1N4005-TP
Micro Commercial Co
1N4002-TP
Micro Commercial Co
1N5817-TP
Micro Commercial Co
1N5819-TP
Micro Commercial Co
1N4006-TP
Micro Commercial Co
1N5818-TP
Micro Commercial Co
UF4007GP-TP
Micro Commercial Co
EPF8820ATC144-3
Intel
XC2V6000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AT40K20-2EQC
Microchip Technology
XC7A75T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F40E2LG
Intel
EP3SL150F780I4
Intel
EP1C4F324I7N
Intel