casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N5819-TP
codice articolo del costruttore | 1N5819-TP |
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Numero di parte futuro | FT-1N5819-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5819-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 10ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 40V |
Capacità @ Vr, F | 110pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-41 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5819-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5819-TP-FT |
FR105-TP
Micro Commercial Co
FR106-AP
Micro Commercial Co
FR106-TP
Micro Commercial Co
FR107-AP
Micro Commercial Co
FR107-TP
Micro Commercial Co
FR151S-AP
Micro Commercial Co
FR151S-TP
Micro Commercial Co
FR152S-AP
Micro Commercial Co
FR152S-TP
Micro Commercial Co
FR153S-AP
Micro Commercial Co
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel