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codice articolo del costruttore | ER1025-18JR |
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Numero di parte futuro | FT-ER1025-18JR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ER1025 |
ER1025-18JR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Molded |
Materiale: core | Phenolic |
Induttanza | 820nH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 415mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 850 mOhm Max |
Q @ Freq | 28 @ 25MHz |
Frequenza - Autorisonante | 250MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ER1025-18JR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ER1025-18JR-FT |
NRS8030T3R3MJGJV
Taiyo Yuden
NRS8030T6R8MJGJV
Taiyo Yuden
NRV2010TR68NGFV
Taiyo Yuden
NRV3012T3R3M
Taiyo Yuden
NRV3012T4R7M
Taiyo Yuden
NRV3012T6R8M
Taiyo Yuden
B78148S1123J000
EPCOS (TDK)
B78148S1123K000
EPCOS (TDK)
ER1025-00JP
API Delevan Inc.
ER1025-00JR
API Delevan Inc.
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel