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codice articolo del costruttore | ER1025-00JR |
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Numero di parte futuro | FT-ER1025-00JR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ER1025 |
ER1025-00JR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Molded |
Materiale: core | Phenolic |
Induttanza | 150nH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 1.2A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 100 mOhm Max |
Q @ Freq | 38 @ 25MHz |
Frequenza - Autorisonante | 600MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ER1025-00JR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ER1025-00JR-FT |
B78108T1183J000
EPCOS (TDK)
B78108T1393J000
EPCOS (TDK)
B78108T1823J000
EPCOS (TDK)
GL15A39N0002
Sprague-Goodman
GL15A68N0002
Sprague-Goodman
GL15A82N0002
Sprague-Goodman
GL15AR100002
Sprague-Goodman
GL15AR120002
Sprague-Goodman
GL25AR130002
Sprague-Goodman
GL25AR150002
Sprague-Goodman
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel