codice articolo del costruttore | EPC8004 |
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Numero di parte futuro | FT-EPC8004 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eGaN® |
EPC8004 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.7A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 500mA, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.45nC @ 5V |
Vgs (massimo) | +6V, -4V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 52pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
Pacchetto / caso | Die |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EPC8004 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EPC8004-FT |
FDMS86152
ON Semiconductor
FDMC8884-F126
ON Semiconductor
FDMC8878_F126
ON Semiconductor
FDMC86244
ON Semiconductor
FDMC7692
ON Semiconductor
FDMC7692S-F127
ON Semiconductor
FDMC7672S-F126
ON Semiconductor
FDMC7692S-F126
ON Semiconductor
FDMC7660DC
ON Semiconductor
FDMC612PZ
ON Semiconductor
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel