codice articolo del costruttore | EPC8004 |
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Numero di parte futuro | FT-EPC8004 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eGaN® |
EPC8004 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.7A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 500mA, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.45nC @ 5V |
Vgs (massimo) | +6V, -4V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 52pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
Pacchetto / caso | Die |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EPC8004 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EPC8004-FT |
FDMS86152
ON Semiconductor
FDMC8884-F126
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A54SX32A-1TQG144
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XC6SLX75T-4FGG484C
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A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel