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EPC EPC2012C

Name: EPC2012C
Brand: EPC
SKU: EPC2012C
Price: 0.952 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (533 reviews)

Numero parte MFG: EPC2012C

quantità disponibile: 67740 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.952

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: EPC

Breve descrizione: eGaN® GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: EPC2012C.pdf

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EPC2012C specificazioni

codice articolo del costruttore	EPC2012C
Numero di parte futuro	FT-EPC2012C
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	eGaN®
EPC2012C Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.3nC @ 5V
Vgs (massimo)	+6V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	140pF @ 100V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	-
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	Die Outline (4-Solder Bar)
Pacchetto / caso	Die
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC2012C Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	EPC2012C-FT

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