casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDMC5614P
codice articolo del costruttore | FDMC5614P |
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Numero di parte futuro | FT-FDMC5614P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDMC5614P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.7A (Ta), 13.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 5.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1055pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta), 42W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-MLP (3.3x3.3) |
Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMC5614P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDMC5614P-FT |
FQI47P06TU
ON Semiconductor
FQI4N20LTU
ON Semiconductor
FQI4N20TU
ON Semiconductor
FQI4N25TU
ON Semiconductor
FQI4N80TU
ON Semiconductor
FQI4N90TU
ON Semiconductor
FQI4P40TU
ON Semiconductor
FQI50N06LTU
ON Semiconductor
FQI50N06TU
ON Semiconductor
FQI5N15TU
ON Semiconductor
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel