casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / PMIC - Gate Driver / EMB1412MYE/NOPB
codice articolo del costruttore | EMB1412MYE/NOPB |
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Numero di parte futuro | FT-EMB1412MYE/NOPB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMB1412MYE/NOPB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione guidata | Low-Side |
Tipo di canale | Single |
Numero di driver | 1 |
Gate Type | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
Tensione - Fornitura | 3.5V ~ 14V |
Tensione logica - VIL, VIH | 0.8V, 2.3V |
Corrente - Uscita di picco (sorgente, lavello) | 3A, 7A |
Tipo di input | Inverting, Non-Inverting |
Tensione lato alto - Max (Bootstrap) | - |
Rise / Fall Time (Typ) | 14ns, 12ns |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-MSOP-PowerPad |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMB1412MYE/NOPB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EMB1412MYE/NOPB-FT |
IRS44273LTRPBF
Infineon Technologies
PM8851D
STMicroelectronics
IRS10752LTRPBF
Infineon Technologies
1EDN7511BXUSA1
Infineon Technologies
IRS20752LTRPBF
Infineon Technologies
IRS25752LTRPBF
Infineon Technologies
1EDN7511BXTSA1
Infineon Technologies
1EDN7550BXTSA1
Infineon Technologies
1EDN8511BXTSA1
Infineon Technologies
1EDN8511BXUSA1
Infineon Technologies
XC7K410T-3FBG676E
Xilinx Inc.
A3P060-1VQG100T
Microsemi Corporation
EP3SL70F484I4N
Intel
EP3C16U256C6N
Intel
5SGSMD3E3H29I4N
Intel
5SGSMD4E2H29I3N
Intel
5SGXMA7N3F45C4
Intel
5SGXEB9R3H43C2LN
Intel
LCMXO3LF-9400E-5MG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation