casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / PMIC - Gate Driver / 1EDN8511BXUSA1
codice articolo del costruttore | 1EDN8511BXUSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-1EDN8511BXUSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | EiceDriver™ |
1EDN8511BXUSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione guidata | Half-Bridge, Low-Side |
Tipo di canale | Single |
Numero di driver | 1 |
Gate Type | N-Channel, P-Channel MOSFET |
Tensione - Fornitura | 8V ~ 20V |
Tensione logica - VIL, VIH | 1.2V, 1.9V |
Corrente - Uscita di picco (sorgente, lavello) | 4A, 8A |
Tipo di input | Inverting, Non-Inverting |
Tensione lato alto - Max (Bootstrap) | - |
Rise / Fall Time (Typ) | 6.5ns, 4.5ns |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT23-6-2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1EDN8511BXUSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1EDN8511BXUSA1-FT |
IRS44273LTRPBF
Infineon Technologies
PM8851D
STMicroelectronics
IRS10752LTRPBF
Infineon Technologies
1EDN7511BXUSA1
Infineon Technologies
IRS20752LTRPBF
Infineon Technologies
IRS25752LTRPBF
Infineon Technologies
1EDN7511BXTSA1
Infineon Technologies
1EDN7550BXTSA1
Infineon Technologies
1EDN8511BXTSA1
Infineon Technologies
1EDN8511BXUSA1
Infineon Technologies
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EX128-PTQ64I
Microsemi Corporation
M1AGL600V2-FG484
Microsemi Corporation
APA450-PQG208I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-6BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110CF23C8
Intel
XC7K160T-2FB484I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FGG256
Microsemi Corporation
10AX115U2F45E1SG
Intel