casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / D5810N06TVFXPSA1
codice articolo del costruttore | D5810N06TVFXPSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-D5810N06TVFXPSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
D5810N06TVFXPSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5800A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100mA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | DO-200AC, K-PUK |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 180°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
D5810N06TVFXPSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | D5810N06TVFXPSA1-FT |
AS01
Sanken
AS01A
Sanken
AS01AV
Sanken
AS01AV0
Sanken
AS01AV1
Sanken
AS01AWK
Sanken
AS01AWS
Sanken
AS01V
Sanken
AS01V0
Sanken
AS01V1
Sanken
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel