codice articolo del costruttore | EM 2V0 |
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Numero di parte futuro | FT-EM 2V0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EM 2V0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 1.2A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EM 2V0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EM 2V0-FT |
D4810N22TVFXPSA1
Infineon Technologies
D4810N28TVFXPSA1
Infineon Technologies
D5810N04TVFXPSA1
Infineon Technologies
D5810N06TVFXPSA1
Infineon Technologies
D650N02TXPSA1
Infineon Technologies
D650N06TXPSA1
Infineon Technologies
D690S20TXPSA1
Infineon Technologies
D690S26TXPSA1
Infineon Technologies
D740N44TXPSA1
Infineon Technologies
D740N48TXPSA1
Infineon Technologies
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel