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codice articolo del costruttore | ELL-CTV3R9N |
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Numero di parte futuro | FT-ELL-CTV3R9N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | V |
ELL-CTV3R9N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 3.9µH |
Tolleranza | ±30% |
Valutazione attuale | 5.6A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 8.5 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | - |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.177" (4.50mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-CTV3R9N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ELL-CTV3R9N-FT |
ELL-4GM2R4N
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ELL-4GM330M
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ELL-4GM3R6N
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ELL-4LM120M
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XC2S150-6FG456C
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XC2VP7-6FG456C
Xilinx Inc.
EP2S60F484C3
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5SGXEBBR2H43C2N
Intel
A42MX09-2PL84I
Microsemi Corporation
LFE3-95E-8FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1508C3N
Intel